IGBT 簡介1.IGBT的基本結構絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質上是一個場效應晶體管，只是在漏極和漏區之間多了一個 P 型層。根據國際電工委員會的文件建議，其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。圖1所示為一個 N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。 N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel  region ）。而在漏區另一側的 P+ 區稱為漏注入區（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成 PNP 雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。為了兼顧長期以來人們的習慣， IEC 規定：源極引出的電極端子（含電極端）稱為發射極端（子），漏極引出的電極端（子）稱為集電極端（子）。這又回到雙極晶體管的術語了。但僅此而已。 IGBT的結構剖面圖如圖2所示。它在結構上類似于MOSFET ，其不同點在于IGBT 是在N溝道功率MOSFET 的N+基板（漏極）上增加了一個P+ 基板（IGBT 的集電極），形成 PN 結j1 ，并由此引出漏極、柵極和源極則完全與 MOSFET 相似。
 
圖1  N溝道IGBT結構 圖2  IGBT的結構剖面圖由圖2可以看出，IGBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區GTR ，其簡化等效電路如圖3所示。圖中Rdr是厚基區GTR的擴展電阻。IGBT是以GTR 為主導件、MOSFET 為驅動件的復合結構。N溝道IGBT的圖形符號有兩種，如圖4所示。實際應用時，常使用圖2－5所示的符號。對于P溝道，圖形符號中的箭頭方向恰好相反，如圖4所示。

 圖3圖4圖5IGBT 的開通和關斷是由柵極電壓來控制的。當柵極加正電壓時，MOSFET 內形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導通，此時，從P+區注到N一區進行電導調制，減少N一區的電阻 Rdr值，使高耐壓的 IGBT 也具有低的通態壓降。在柵極上加負電壓時，MOSFET 內的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT 即關斷。正是由于 IGBT 是在N 溝道 MOSFET 的 N+ 基板上加一層 P+ 基板，形成了四層結構，由PNP－NPN晶體管構成 IGBT 。但是，NPN晶體管和發射極由于鋁電極短路，設計時盡可能使NPN不起作用。所以說， IGBT 的基本工作與NPN晶體管無關，可以認為是將 N 溝道 MOSFET 作為輸入極，PNP晶體管作為輸出極的單向達林頓管。采取這樣的結構可在 N一層作電導率調制，提高電流密度。這是因 為從 P+ 基板經過 N+ 層向高電阻的 N一層注入少量載流子的結果。 IGBT 的設計是通過 PNP－NPN 晶體管的連接形成晶閘管。2.IGBT模塊的術語及其特性術語說明術語
符號
定義及說明（測定條件參改說明書）
集電極、發射極間電壓
VCES柵極、發射極間短路時的集電極，發射極間的比較大電壓柵極發極間電壓
VGES集電極、發射極間短路時的柵極，發射極間比較大電壓集電極電流
IC集電極所允許的比較大直流電流耗散功率
PC單個IGBT所允許的比較大耗散功率結溫
Tj元件連續工作時芯片溫廈關斷電流
ICES柵極、發射極間短路，在集電極、發射極間加上指定的電壓時的集電極電流。漏電流
IGES集電極、發射極間短路，在柵極、集電極間加上指定的電壓時的柵極漏電流飽和壓降
V CE(sat)在指定的集電極電流和柵極電壓的情況下，集電極、發射極間的電壓。輸入電容
Clss集電極、發射極間處于交流短路狀態，在柵極、發射極間及集電極、發射極間加上指定電壓時，柵極、發射極間的電容 三.IGBT模塊使用上的注意事項1. IGBT模塊的選定在使用IGBT模塊的場合，選擇何種電壓，電流規格的IGBT模塊，需要做周密的考慮。a. 電流規格IGBT模塊的集電極電流增大時，VCE(-)上升，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，原件發熱加劇。因此，根據額定損耗，開關損耗所產生的熱量，控制器件結溫（Tj）在 150oC以下（通常為安全起見，以125oC以下為宜），請使用這時的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱也加劇，需十分注意。
一般來說，要將集電極電流的比較大值控制在直流額定電流以下使用，從經濟角度這是值得推薦的。  b.電壓規格IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊密相關。其相互關系列于表1。根據使用目的，并參考本表，請選擇相應的元件。 元器件電壓規格600V1200V

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